EIT+ || Badania technologii energooszczędnych złączy na bazie węglika krzemu (SiC)
Wrocławskie Centrum Badań EIT+
EN | PL
biuletyn informacji publicznej
szukaj

Badania technologii energooszczędnych złączy na bazie węglika krzemu (SiC)

Badania technologii energooszczędnych złączy na bazie węglika krzemu (SiC)

Projekt realizowany jest przez dr. Miłosza Grodzickiego i dr. Radosława Wasielewskiego z Instytutu Fizyki Doświadczalnej Uniwersytetu Wrocławskiego.

Projekt ten obejmuje zaawansowane badania i rozwój technologii wytwarzania wydajnych energetycznie zÅ‚Ä…czy metal-póÅ‚przewodnik na bazie wÄ™glika krzemu (SiC) w aspekcie budowy nowoczesnych moduÅ‚ów mocy stosowanych w elektrowniach wiatrowych i wodnych.

Idea projektu

Sprawność procesów pozyskiwania energii odnawialnej w elektrowniach wiatrowych, sÅ‚onecznych i wodnych jest wciąż niezadawalajÄ…ca. ŹródÅ‚em znacznych strat jest sam proces przetwarzania energii na elektrycznÄ… o optymalnych parametrach. Wytwarzanie wysokosprawnych ukÅ‚adów energoelektronicznych do konwersji energii jest zatem bardzo pożądane.

OsiÄ…gniÄ™cie tego celu jest możliwe poprzez wykorzystanie elementów póÅ‚przewodnikowych pracujÄ…cych na bazie wÄ™glika krzemu (SiC).  Technologia ta umożliwia pracÄ™ w ekstremalnych warunkach - w wysokich temperaturach, przy dużych udarach prÄ…dowych, znacznych skokach napiÄ™cia i jednoczesnym zachowaniu lepszych parametrów pracy.

Zastosowanie technologii wÄ™glika krzemu do budowy podstawowych elementów elektronicznych, takich jak dioda, tranzystor poprawia sprawność moduÅ‚ów mocy, a tym samym wzrasta efektywność elektrowni odnawialnych, prowadzÄ…c do redukcji emisji CO2.

Obecnie SiC jest przedmiotem ogromnego zainteresowania technologów, jednak wytwarzanie urzÄ…dzeÅ„ elektronicznych o zadanych, Å›ciÅ›le okreÅ›lonych parametrach na skalÄ™ przemysÅ‚owÄ…, jest wciąż trudne. Wynika to ze sÅ‚abego opanowania procesów preparowania jego powierzchni, co stanowi nadal duże wyzwanie dla naukowców. Dodatkowa trudność wiąże siÄ™ z wykonywaniem kontaktów (omowych oraz Schottky’ego) o zadanych wÅ‚aÅ›ciwoÅ›ciach na dobrze przygotowanej i zdefiniowanej powierzchni SiC.

Celem badawczym podjętego projektu jest określenie wpływu stanu powierzchni węglika krzemu na właściwości złącza metal-SiC w aspekcie budowy wydajniejszych urządzeń elektronicznych.

Projekt realizowany jest w ramach Programu Operacyjnego KapitaÅ‚ Ludzki, dziaÅ‚ania 8.2. Transfer wiedzy, poddziaÅ‚ania 8.2.1 „Wsparcie dla wspóÅ‚pracy sfery nauki i przedsiÄ™biorstw” i jest wspóÅ‚finansowany przez UniÄ™ EuropejskÄ… w ramach Europejskiego Funduszu SpoÅ‚ecznego.

Czy wiesz, że ...

Wirusy majÄ… wielkość od 30-300nm, natomiast w projekcie BioMed opracowuje siÄ™ terapiÄ™  poprzez modulacje aktywnoÅ›ci katalitycznej RNA.

więcej informacji

Aktualności

30 Kreatywnych Wrocławia odebrało wczoraj wyróżnienia z rąk prezydenta Rafała Dutkiewicza.

01.07.15
narodowe centrum badañ i rozwoju
dolnoœl¹ski gryf gospodarczy
adres
facebookgoogle plustwitteryoutubelinkedinpinterestrss
adres