Wykonawca:
Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych PAN we Wrocławiu

Kierownik: 
prof. Krzysztof Rogacki

Opis zadania:

• Otrzymanie materiałów do półprzewodnikowej spintroniki ferromagnetycznej i antyferromagnetycznej kompatybilnych z azotkami grupy III, które stanowią obecnie podstawowe związki w zastosowaniach optoelektronicznych oraz elektronice wysokich mocy. W szczególności celem prowadzonych badań będzie:

(i) otrzymanie półprzewodnika ferromagnetycznego na bazie GaN o temperaturze Curie powyżej temperatury pokojowej,

(ii) otrzymanie półprzewodnika antyferromagnetycznego kompatybilnego z azotkami grupy III o temperaturze Néela powyżej temperatury pokojowej.

• Wyznaczenie rozkładu lokalnych właściwości półprzewodników i nadprzewodników zawierających metale przejściowe, w tym w obszarze separacji faz, i powiązanie tych właściwości z wielkością magnetooporu w magnetycznych złączach tunelowych oraz wielkością prądów krytycznych w nadprzewodnikach; zaproponowanie metod polepszenia parametrów urządzeń i/lub zaproponowanie nowych zasad działania.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Zobacz również